转折电压是钳位电压吗（什么是正向转折电压）
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如何检测二极管
判断二极管的好坏的方法如下：辨别出二极管的正负极，有白线的一端为负极，另一端为正极。将万用表上的旋钮拨到通断档位，并将红黑表笔插在万用表的正确位置。将红表笔接二极管正极，黑表笔接负极。然后观察读数，如果满溢（即显示为1），则二极管已坏。
除了上述方法，还可以通过观察二极管外壳上的符号标记、色点或色环来判断其正负极。通常，外壳上的三角形箭头一端为正极，色点或色环的一端为负极。此外，还可以借助二极管外壳上的银色带，通常带银色带的一端为负极。通过这些方法，可以较为准确地判断二极管的正负极，从而进行进一步的检测。
稳压二极管：有黑圈的一端为负。用表测时，若有示数，则红表笔所测端为正，黑表笔端为负；5若没有，反过来再测一次。如果两次测量都没有示数，表示此稳压二极管已经损坏 6整流二极管：有白色圈的为负。用表测时，若有示数，则红表笔所测端为正，黑表笔端为负；7若没有，反过来再测一次。
首先，我们在电路板上找到需要检测的二极管。在电路板的背面找到引脚后，利用电烙铁和吸锡器把二极取下来。然后用数字万用表，调整到二极管测量档位。辨别出二极管的正负极，有白线的一端为负极，另一端为正极。第一次测量，把红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，读出数值。
利用电解电容器也可以检测发光二极管，具体方法是用电表对电容器充电，然后将电容器的正极接发光二极管正极，负极接发光二极管负极，如果发光二极管发出很亮的闪光，则说明该二极管完好。除此之外，还可以采用3V直流电源检测。
正向导通测试：将万用表的黑表笔接至二极管的正极，红表笔接至负极。若二极管正常，表针应向右摆动至一个较小的阻值，这表示二极管正向导通。如果表针指向0Ω，可能表明二极管短路。如果表针几乎不移动，则可能是二极管开路或损坏。
TVS和稳压管可以同时使用吗?
作为二者的共同点，它们都可以用来稳压，并且都工作在反向截止状态下，其正向特性与普通二极管相同，反向特性为典型的PN结雪崩器件。但是TVS管齐纳击穿电流更小，大于10V的稳压只有1mA，相对来说齐纳二极管击穿电流要大不少，但是齐纳二极管稳压精度可以做的比较高。
电流大小不同 TVS：TVS管齐纳击穿电流更小，大于10V的稳压只有1mA。稳压二极管：相对来说齐纳二极管击穿电流要大不少，但是齐纳二极管稳压精度可以做得比较高。分类不同 TVS：按极性分为单极性和双极性两种。
在信号线和接地之间放置TVS二极管，有助于避免不必要地噪声影响，特别是在开关电源中，mos管对过电压和静电非常敏感，使用双向TVS可以保护这些敏感元件不受损害。相比之下，三极管开关通常对这类保护需求较小，因为它们对这些冲击不那么敏感。
TVS和一般的稳压二极管有什么区别
1、电流大小不同 TVS：TVS管齐纳击穿电流更小，大于10V的稳压只有1mA。稳压二极管：相对来说齐纳二极管击穿电流要大不少，但是齐纳二极管稳压精度可以做得比较高。分类不同 TVS：按极性分为单极性和双极性两种。
2、稳压二极管：恒定电压的守护者原理与特性/ 当反向电压达到临界点时，稳压二极管（Zener Diod 齐纳二极管）/的电流会突然增大，但其两端电压保持稳定（VZ/）。它们主要分为低压（40V/）和高压（200V/）两种，N型和P型材料也有区别。
3、电流曲线不同。单向TVS二极管的电路符号与普通的稳压管相同，其正向特性与普通二极管相同，反向特性为典型的PN结雪崩器件。双向二极管正反向都是典型的PN结雪崩器件。
4、TVS二极管与稳压二极管都可用于稳压，但TVS二极管强调瞬态响应，响应时间相对较快，同时具有较大功率。稳压二极管则在响应时间上通常较慢，且具有较高的稳压精度。TVS二极管主要防止瞬间大电压影响，实现稳压功能，与稳压二极管的作用有别。
5、与稳压管不同的是，IPP的数值可达数百安培，而箝位响应时间仅为1×10-12s。TVS的最大允许脉冲功率为PM=VCIPP，且在给定最大钳位电压下，功耗PM越大，其浪涌电流的承受能力越大。
6、Tvs管与稳压二极管均作为电路保护器件，具备限制两端电压和长时间运作耐流值的特性。然而，它们在工作原理、分类以及参数方面存在显著差异。Tvs管采用雪崩效应，在高能量瞬时过压脉冲时，降低工作阻抗以允许最大电流通过，并箝制电压至预定水平，确保精密元器件免受损坏。
二极管-晶体管逻辑电路详细介绍
二极管D4和D5的电平位移作用使Q点电平保持在0.7伏以下，晶体管仍截止。只有当所有输入电压超过4伏时，P点电平被二极管DD5和晶体管T的be结的正偏通道钳位在1伏，此时二极管DD2和D3截止，电流全部通过D4和D5到基极，使晶体管饱和，输出为低电平。
晶体管-晶体管逻辑电路，简称TTL电路，是基于集成电路的一种技术，特别在输入级和输出级，都采用完全由晶体管构成的单元门电路。TTL电路起源于二极管-晶体管逻辑电路（DTL），其核心创新在于将DTL中的“与”门二极管组和电平位移二极管替换为多发射极晶体管。
与直接耦合晶体管逻辑电路（DCTL）和电阻-晶体管逻辑电路（RTL）相比，DTL电路从“0”到“1”转换时的输入电压（阈值）比前者高。阈值升高是因为DTL电路增设了电平位移二极管D4和D5而得到的。阈值可由电平位移二极管的数目调整。
HTL电路，全称为高阈值逻辑电路，是基于二极管-晶体管逻辑电路（DTL）和改进型二极管-晶体管逻辑电路（M-DTL）的双极型中、低速数字集成电路的改进产物。在从DTL到HTL电路的改进过程中，主要目标在于提高电路的阈值电压，从而改善信号传输的效率和稳定性。
集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路，简称TTL电路。它是从二极管-晶体管逻辑电路（DTL）发展而来的。将DTL电路输入端的“与”门二极管组和电平位移二极管之一，改为多发射极晶体管，多发射极实现输入级“与”逻辑，输出级晶体管实现“非”逻辑，即成为TTL基本逻辑门电路的结构（图1）。
dtlplugs是早期的双极型集成逻辑门采用的是二极管─，三极管的电路（DTL）形式。由于其速度较低，以后发展成晶体管晶体管电路（TTL）形式。二极管晶体管逻辑门电路（DTL） 基本DTL与非门是由分立元件与非门演变过来的。DTL门电路的缺点是工作速度低。
浪涌测试,TVS管的选择
V是试验等级3的要求，是给定条件的测试要求，不是计算的。
尽管TVS管和ESD保护管的工作原理相似，但在实际应用中，二者的选择和使用场景有所不同。ESD保护管更注重防静电，如HBM和MM模型，电容值一般在1-5pF，适合快速释放静电。而TVS管的电容值较高，主要用于浪涌防护，如电源线路的保护，其功率和封装特性也不同于ESD保护管。
在选择TVS管时，需重点考虑的关键参数包括：VBR（反向击穿电压）：当浪涌电压高于此电压时，TVS管会反向击穿。确保VBR至少比电路最高工作电压高10%。VC（钳位电压）：TVS反向击穿后，两端的电压。此值应小于被保护电路能承受的最大瞬态电压。
TVS管的最大峰值脉冲功率必须大于被保护电路的峰值脉冲功率，以应对突发情况。确定好TVS管的最大箝位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流，以确保在浪涌电流情况下仍能正常工作。直流保护电路多采用单向TVS管，而交流保护电路则多采用双向TVS管。
